指定參考書(shū)：《半導(dǎo)體物理》上冊(cè)，葉良修，高等教育出版社，1984年，2008年再版。
考試內(nèi)容
一、晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
§1.1 晶體的結(jié)構(gòu)：
晶格的周期性、金剛石結(jié)構(gòu)、閃鋅礦結(jié)構(gòu)和釬鋅礦結(jié)構(gòu)
§1.2 半導(dǎo)體的結(jié)合性質(zhì)：
共價(jià)結(jié)合和離子結(jié)合、共價(jià)四面體結(jié)構(gòu)、混合鍵
二、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
§2.1 晶體中的能帶：
原子能級(jí)和固體能帶、晶體中的電子狀態(tài)
§2.2 晶體中電子的運(yùn)動(dòng)
§2.3 導(dǎo)電電子和空穴
§2.4 常見(jiàn)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
§2.5 雜質(zhì)和缺陷能級(jí)：
施主能級(jí)和受主能級(jí)、n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體、類(lèi)氫模型、深能級(jí)雜質(zhì)、等電子雜質(zhì)
三、電子和空穴的平衡統(tǒng)計(jì)分布
§3.1 費(fèi)米分布函數(shù)
§3.2 載流子濃度對(duì)費(fèi)米能級(jí)的依賴關(guān)系：
態(tài)密度、載流子濃度
§3.3 本征載流子濃度
§3.4 非本征載流子濃度：
雜質(zhì)能級(jí)的占用幾率、單一雜質(zhì)能級(jí)情形、補(bǔ)償情形
四、輸運(yùn)現(xiàn)象
§4.1 電導(dǎo)和霍爾效應(yīng)的分析
§4.2 載流子的散射
§4.3 電導(dǎo)的統(tǒng)計(jì)理論
五、過(guò)剩載流子
§5.1 過(guò)剩載流子及其產(chǎn)生和復(fù)合
§5.2 過(guò)剩載流子的擴(kuò)散：
一維穩(wěn)定擴(kuò)散、愛(ài)因斯坦關(guān)系
§5.3 過(guò)剩載流子的漂移和擴(kuò)散
§5.7 直接復(fù)合
§5.8 間接復(fù)合
§5.9 陷阱效應(yīng)
六、pn結(jié)
§6.1 pn結(jié)及其伏安特性
§6.3 pn結(jié)的光生伏特效應(yīng)
§6.4 pn結(jié)中的隧道效應(yīng)
七、半導(dǎo)體表面層和MIS結(jié)構(gòu)
§7.1 表面感生電荷層
§7.2 MIS電容：
理想MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性、實(shí)際MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性、Si-SiO2系統(tǒng)中電荷的實(shí)驗(yàn)研究
八、金屬半導(dǎo)體接觸和異質(zhì)結(jié)
§8.1 金屬－半導(dǎo)體接觸
§8.2 肖特基二極管的電流：
越過(guò)勢(shì)壘的電流、兩極管理論、擴(kuò)散理論、隧穿電流和歐姆接觸
§8.4 異質(zhì)結(jié)
§8.6 半導(dǎo)體超晶格
注：以上的考試大綱內(nèi)容大約是參考書(shū)內(nèi)容的一半，這是必須掌握的，也是考試范圍。其余部分可作進(jìn)一步學(xué)習(xí)的參考，但不在考試范圍。
考試內(nèi)容
一、晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
§1.1 晶體的結(jié)構(gòu)：
晶格的周期性、金剛石結(jié)構(gòu)、閃鋅礦結(jié)構(gòu)和釬鋅礦結(jié)構(gòu)
§1.2 半導(dǎo)體的結(jié)合性質(zhì)：
共價(jià)結(jié)合和離子結(jié)合、共價(jià)四面體結(jié)構(gòu)、混合鍵
二、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
§2.1 晶體中的能帶：
原子能級(jí)和固體能帶、晶體中的電子狀態(tài)
§2.2 晶體中電子的運(yùn)動(dòng)
§2.3 導(dǎo)電電子和空穴
§2.4 常見(jiàn)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
§2.5 雜質(zhì)和缺陷能級(jí)：
施主能級(jí)和受主能級(jí)、n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體、類(lèi)氫模型、深能級(jí)雜質(zhì)、等電子雜質(zhì)
三、電子和空穴的平衡統(tǒng)計(jì)分布
§3.1 費(fèi)米分布函數(shù)
§3.2 載流子濃度對(duì)費(fèi)米能級(jí)的依賴關(guān)系：
態(tài)密度、載流子濃度
§3.3 本征載流子濃度
§3.4 非本征載流子濃度：
雜質(zhì)能級(jí)的占用幾率、單一雜質(zhì)能級(jí)情形、補(bǔ)償情形
四、輸運(yùn)現(xiàn)象
§4.1 電導(dǎo)和霍爾效應(yīng)的分析
§4.2 載流子的散射
§4.3 電導(dǎo)的統(tǒng)計(jì)理論
五、過(guò)剩載流子
§5.1 過(guò)剩載流子及其產(chǎn)生和復(fù)合
§5.2 過(guò)剩載流子的擴(kuò)散：
一維穩(wěn)定擴(kuò)散、愛(ài)因斯坦關(guān)系
§5.3 過(guò)剩載流子的漂移和擴(kuò)散
§5.7 直接復(fù)合
§5.8 間接復(fù)合
§5.9 陷阱效應(yīng)
六、pn結(jié)
§6.1 pn結(jié)及其伏安特性
§6.3 pn結(jié)的光生伏特效應(yīng)
§6.4 pn結(jié)中的隧道效應(yīng)
七、半導(dǎo)體表面層和MIS結(jié)構(gòu)
§7.1 表面感生電荷層
§7.2 MIS電容：
理想MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性、實(shí)際MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性、Si-SiO2系統(tǒng)中電荷的實(shí)驗(yàn)研究
八、金屬半導(dǎo)體接觸和異質(zhì)結(jié)
§8.1 金屬－半導(dǎo)體接觸
§8.2 肖特基二極管的電流：
越過(guò)勢(shì)壘的電流、兩極管理論、擴(kuò)散理論、隧穿電流和歐姆接觸
§8.4 異質(zhì)結(jié)
§8.6 半導(dǎo)體超晶格
注：以上的考試大綱內(nèi)容大約是參考書(shū)內(nèi)容的一半，這是必須掌握的，也是考試范圍。其余部分可作進(jìn)一步學(xué)習(xí)的參考，但不在考試范圍。