(3)反射損耗
電磁波從空氣傳播到金屬屏蔽體表面時(shí)產(chǎn)生反射，反射損耗是金屬屏蔽體對(duì)高頻電磁波的另一個(gè)重要屏蔽機(jī)理。產(chǎn)生反射的原因是電磁波在空氣中和在金屬導(dǎo)體中的阻抗不一樣。
在近場(chǎng)的電場(chǎng)波和磁場(chǎng)波的波阻抗是不同的，因此做近場(chǎng)屏蔽時(shí)，要分別考慮電場(chǎng)波和磁場(chǎng)波。由于電場(chǎng)波的波阻抗較高，因此反射損耗較大。磁場(chǎng)波的波阻抗較低，反射損耗較小。對(duì)于電場(chǎng)波，屏蔽體距離輻射源越近，反射損耗越大。對(duì)于磁場(chǎng)波，屏蔽體距離輻射源越遠(yuǎn)，反射損耗越大。
反射損耗的特點(diǎn)是與電磁波的波阻抗有關(guān)。對(duì)于特定的屏蔽材料，波阻抗越高，反射損耗越大。對(duì)于銅屏蔽材料(其他材料的趨勢(shì)也大致相同)，根據(jù)電場(chǎng)源和磁場(chǎng)源的波阻抗變化規(guī)律，可以繪出圖5-4-11所示反射損耗與頻率之間的關(guān)系曲線。
屏蔽材料的反射損耗并不是將電磁通量消耗掉，而是將其反射到空間，傳播到其他地方。因此反射損耗很大并不一定是好事情，反射的電磁波可能對(duì)其他對(duì)象造成影響。
(4)多次反射損耗
電磁波每當(dāng)入射到不同介質(zhì)的界面時(shí)，都會(huì)發(fā)生反射。因此當(dāng)入射波到達(dá)金屬屏蔽體時(shí)，除了一部分能量被屏蔽體吸收并一次反射后穿透出屏蔽體外，在屏蔽體內(nèi)的兩個(gè)表面上還會(huì)產(chǎn)生多次反射。電磁波每一次反射都會(huì)有一部分能量穿透出屏蔽體，這就造成了額外的泄漏。
電磁波從空氣傳播到金屬屏蔽體表面時(shí)產(chǎn)生反射，反射損耗是金屬屏蔽體對(duì)高頻電磁波的另一個(gè)重要屏蔽機(jī)理。產(chǎn)生反射的原因是電磁波在空氣中和在金屬導(dǎo)體中的阻抗不一樣。
在近場(chǎng)的電場(chǎng)波和磁場(chǎng)波的波阻抗是不同的，因此做近場(chǎng)屏蔽時(shí)，要分別考慮電場(chǎng)波和磁場(chǎng)波。由于電場(chǎng)波的波阻抗較高，因此反射損耗較大。磁場(chǎng)波的波阻抗較低，反射損耗較小。對(duì)于電場(chǎng)波，屏蔽體距離輻射源越近，反射損耗越大。對(duì)于磁場(chǎng)波，屏蔽體距離輻射源越遠(yuǎn)，反射損耗越大。
反射損耗的特點(diǎn)是與電磁波的波阻抗有關(guān)。對(duì)于特定的屏蔽材料，波阻抗越高，反射損耗越大。對(duì)于銅屏蔽材料(其他材料的趨勢(shì)也大致相同)，根據(jù)電場(chǎng)源和磁場(chǎng)源的波阻抗變化規(guī)律，可以繪出圖5-4-11所示反射損耗與頻率之間的關(guān)系曲線。
屏蔽材料的反射損耗并不是將電磁通量消耗掉，而是將其反射到空間，傳播到其他地方。因此反射損耗很大并不一定是好事情，反射的電磁波可能對(duì)其他對(duì)象造成影響。
(4)多次反射損耗
電磁波每當(dāng)入射到不同介質(zhì)的界面時(shí)，都會(huì)發(fā)生反射。因此當(dāng)入射波到達(dá)金屬屏蔽體時(shí)，除了一部分能量被屏蔽體吸收并一次反射后穿透出屏蔽體外，在屏蔽體內(nèi)的兩個(gè)表面上還會(huì)產(chǎn)生多次反射。電磁波每一次反射都會(huì)有一部分能量穿透出屏蔽體，這就造成了額外的泄漏。